Кoмпaния Samsung Electronics oбъявилa o нaчaлe мaссoвoгo прoизвoдствa нoвeйшeгo рeшeния в (видах пaмяти — мнoгoчипoвoгo пaкeтa LPDDR5 нa бaзe UFS (uMCP).
Oн oбъeдиняeт сaмую быструю видеопамять LPDDR5 DRAM с новейшей флеш-памятью UFS 3.1 NAND, обеспечивая эффективность флагманского уровня про гораздо более широкого круга пользователей смартфонов.
Южнокорейский колосс заявляет, что другой uMCP может сделать возможным молниеносную скорость и большую криоемкость хранилища при ужас низком энергопотреблении. Сие позволит большему количеству пользователей потонуть в многочисленные 5G приложения, которые впереди были доступны в какие-нибудь полгода на флагманских моделях премиум-класса. К таким функциям относятся зрелище с интенсивным использованием графики и дополненная реалия (AR).
Возможности флагманского уровня стали возможны по причине почти 50-процентному повышению производительности DRAM, с 17 гигабайт в подожди (ГБ/с) до 25 ГБ/с, и удвоению производительности флэш-памяти NAND с 1,5 ГБ/с задолго. Ant. с 3 ГБ/с, по сравнению с предыдущим решением UFS 2.2 получи и распишись базе LPDDR4X.
Сие также помогает максимально производительно использовать пространство в середине смартфона за счисление интеграции хранилища DRAM и NAND в единичный компактный корпус размером целом) 11,5×13 мм, точно дает больше места угоду кому) других функций.
Возьми данный момент Samsung успешно завершила отладка совместимости LPDDR5 uMCP с несколькими мировыми производителями смартфонов и ожидает, как будто устройства, оснащенные данным чипом, появятся получи и распишись основных рынках, начиная с сего месяца.