2 марта, 2017 
adminGWP Exynos 9 Series 8895 сoздaн нa oснoвe 10-нaнoмeтрoвoгo тexпрoцeссa FinFET.
Компания Samsung представила свой мощнейший флагманский процессор Exynos 9 Series 8895, который создан на основе 10-нанометрового техпроцесса FinFET с транзисторной 3D-структурой, передает PhoneArena.
Известно, что технология, использованная в процессоре южнокорейского производителя, задействована в другом топовом процессоре — Snapdragon 835 от Qualcomm, который также разрабатывался при участии Samsung.
Предполагается, что именно Exynos 9 Series 8895 лег в основу линейки флагманских смартфонов компании — Galaxy S8, презентация которых ожидается в апреле этого года.
Сообщается, что процессор позволяет загружать данные со скоростью 1 Гбит/с, а передачу в сеть — на скорости до 150 Мбит/с. Кроме того, новинка первой, по словам производителя, получила гигабитный LTE-модем с агрегацией пяти несущих.
Процессор Exynos 9 Series 8895 должен обеспечить производительность на 27 процентов выше, в сравнении с предшественником, при этом расходуя на 40 процентов меньше энергии.
Ранее сообщалось, что в Сети были обнародованы характеристики будущего флагманского смартфона Samsung Galaxy S8.
Galaxy S8 Plus: «утекли» подробности о фаблете
Опубликовано в рубрике