3 января, 2016 
adminGWP Громче всех о «кремниевой фотонике» говорят компании Intel и IBM. Они добились определённых успехов на пути интеграции в «процессоры» оптических цепей или их элементов: приёмников, передатчиков и даже лазеров. Последнее наиболее сложно. Источник света в составе сложной микросхемы требует не только специфических материалов и техпроцессов, отличных от традиционных для CMOS-процесса, но также сложен в эксплуатации — риск перегрева и прочее. Вполне возможно, что на первых порах в кремниевой фотонике распространение может получить метод, когда используется внешний лазер.
Так, группа учёных из университетов Калифорнии, Беркли, Колорадо и МИТ опубликовали в Nature статью, в которой рассказали о создании двух SoC, связанных оптическими цепями. Для подсветки встроенных в чип оптических трансиверов — по 850 штук в каждой микросхеме — используется внешний лазер. Для связи между чипами всего три оптических канала: приём, передача и подсветка. Каждый чип содержит также по два ядра RISC-V и по 1 МБ памяти (всего по 70 млн. транзисторов). В ходе эксперимента одна из микросхем задействовала для вычислений собственные ядра и «соседнюю» память. Скорости оптического канала оказалось достаточно, чтобы две микросхемы работали без простоев и ошибок.
Проведённый эксперимент выявил также узкие места в проекте. Уход рабочей температуры на один градус Цельсия сразу вёл к появлению ошибок в каналах связи. Тем не менее, разработчики доказали возможность выпускать на традиционном оборудовании чипы с оптическими каналами связи. Это может приблизить момент коммерческого появления решений со сверхскоростным оптическим межчиповым интерфейсом.
Опубликовано в рубрике